Утверждена
Постановлением
Совета Министров
Союзного государства
от 29 октября 2003 г. N 20
ПОДПРОГРАММА
СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ
ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ, АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"
(Уточненная редакция выполняющейся в 2000 - 2003 гг.
одноименной Подпрограммы, утвержденной Постановлением
Исполнительного Комитета Союза Беларуси и России
от 12.02.1999 г. N 2)
1. Введение
Радиоэлектронная отрасль, как совокупность проектных, научно-
исследовательских организаций и базовых заводов-изготовителей
высокоинтеллектуальной продукции и элементной базы, включающая
обеспечение трудовыми, материальными, энергоресурсами, социально-
бытовой сферой, является ведущей отраслью экономики как Республики
Беларусь, так и Российской Федерации.
Электронная промышленность, являющаяся подотраслью
радиоэлектронной промышленности, снабжает элементной базой не
только радиоэлектронные отрасли в целом, но и другие наукоемкие
отрасли промышленности и народного хозяйства - машиностроение,
информатику, транспорт, связь и т.д., обеспечивая их технический
уровень и конкурентоспособность на мировом рынке и рынке СНГ.
Для успешной интеграции в мировое экономическое сообщество
необходимо совместно развивать электронную промышленность в России
и Беларуси в духе Декларации о дальнейшем единении Беларуси и
России от 25 декабря 1998 года.
Важнейшим инструментом такой политики являются научно-
технические программы на основе органического сочетания научных
разработок, прикладных исследований, опытного и серийного
производства элементной базы и законченных изделий.
Данная Подпрограмма является составной частью Программы
"Создание и серийное производство автоматизированных систем
управления, бортовой радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой
радио- и электротехники", одобренной Решением Исполнительного
Комитета Сообщества Беларуси и России от 4 сентября 1996 г. N 4
(п. 18 Перечня совместных межгосударственных программ), и
обеспечивает разработку и организацию выпуска элементной базы
нового класса, позволяющей создавать конкурентоспособные изделия и
аппаратуру, расширить объемы товарных потоков, создать
усовершенствованные специализированные системы для укрепления
обороноспособности Республики Беларусь и Российской Федерации,
увеличить объемы валютных поступлений, в значительной степени
решить проблему импортозамещения.
2. Цель Подпрограммы
Целью Подпрограммы является:
- разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых,
аналоговых микросхем для приоритетных отраслей промышленности,
бытовой техники и аппаратуры специального назначения (планируется
создание широкого спектра интегральных микросхем различного
функционального назначения);
- разработка микросхем для изделий спецтехники, включая
интегральные схемы (ИС) повышенной устойчивости к специальным
факторам, повышенной помехозащищенности и надежности, в
соответствии с реализуемыми и перспективными программами создания
систем вооружений и военной техники (включая автоматизированные
системы управления и специальную бортовую аппаратуру);
- разработка ряда новых технологий, предназначенных для
создания электронной элементной базы, в рамках настоящей
Подпрограммы.
Подпрограмма охватывает сферу проектирования и серийного
освоения изделий электронной техники (ИЭТ) двойного и специального
назначения, технологического обеспечения. Это позволит резко
поднять качество, снизить себестоимость, уменьшить сроки
разработки и освоения ИЭТ, обеспечив тем самым их
конкурентоспособность и независимость от поставок по импорту,
создать новые, более совершенные промышленные, бытовые и оборонные
системы.
3. Основные технические показатели
В ходе реализации трех взаимосвязанных разделов Подпрограммы
планируется разработка целого ряда интегральных схем и новых
технологических процессов:
1. микросхемы двойного назначения:
микросхемы 8- и 16-разрядных микроконтроллеров, микросхемы для
цифровой обработки сигналов, 16/32 КМОП микропроцессорный
комплект, стандартные линейные микросхемы, серия контроллеров ЖКИ,
ряд БМК емкостью от 10 до 100К вентилей, аналого-цифровая матрица,
КМОП статическое ОЗУ емкостью 1Мбит, БиКМОП аналого-цифровых БМК,
ряд операционных усилителей и др. Всего планируется разработать и
освоить 39 типов новых микросхем двойного назначения с
техническими характеристиками, соответствующими мировому уровню;
2. микросхемы специального назначения:
КМОП ПЗУ емкостью 1М и 2М, устойчивые к спецфакторам, серия
быстродействующих КМОП логических схем типа 54АСТ. Всего по
второму разделу планируется разработать и внедрить в серийное
производство в РБ и РФ 42 типа микросхем;
3. новые технологические операции, конструкции и
технологические процессы:
новые конструкции и технологические процессы изготовления,
библиотеки параметров и элементов 8 - 16-разрядных
микроконтроллеров с проектными нормами от 0,7 до 1,2 мкм, в том
числе со встроенными блоками ЭСППЗУ до 16Кбит, ПЗУ - до 256Кбит,
ОЗУ - до 256 байт; технологию формирования структур типа кремний
на изоляторе, технологический процесс химико-механического
полирования межслойных диэлектриков, технологические процессы
планаризации, блока многослойной металлизации и др. По всем
заданиям настоящего раздела планируется достижение технических
параметров, соответствующих мировому уровню.
4. Основные этапы выполнения Подпрограммы
Подпрограмма "База" утверждена Постановлением Исполкома Союза
Беларуси и России от 12 февраля 1999 г. N 2. Согласно Подпрограмме
сроки ее реализации - 2000 - 2003 годы.
Плановые и фактические объемы бюджетного финансирования
Подпрограммы приведены в следующей Таблице.
тыс. российских рублей (в текущих ценах)
------T------------------------T------------------------T--------------¬
¦ Год ¦ План по Подпрограмме ¦ Факт на 01.01.2003 г. ¦Дата открытия ¦
¦ ¦ (в ценах мая 1998 г.) ¦ ¦финансирования¦
¦ +-------T-------T--------+-------T-------T--------+ ¦
¦ ¦ Всего ¦Россия ¦Беларусь¦ Всего ¦Россия ¦Беларусь¦ ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2000 ¦34860,0¦22260,0¦ 12600,0¦19156,6¦19156,6¦ - ¦сентябрь ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2001 ¦30230,0¦20150,0¦ 10080,0¦45209,0¦30797,4¦ 14411,6¦март ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2002 ¦20150,0¦13740,0¦ 6410,0¦20150,0¦11486,0¦ 8664,0¦апрель ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2003 ¦ 7760,0¦ 5290,0¦ 2470,0¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦ВСЕГО¦93000,0¦61440,0¦ 31560,0¦84515,6¦61440,0¦ 23075,6¦ ¦
L-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+---------------
Из Таблицы следует, что на 01.01.2003 фактическое
финансирование Подпрограммы составило 90,88% от номинальной суммы,
предусмотренной Подпрограммой.
По состоянию на 1 января 2003 года уже выполнены следующие
работы:
по приборной части Подпрограммы:
завершены этапы разработки ТЗ и плановой документации по 24
ОКР, этапы разработки эскизных проектов по 18 ОКР, этапы
разработки технических проектов по 11 ОКР; в процессе этого
проведена разработка архитектуры, алгоритмов функционирования,
математических моделей схем электрических принципиальных,
топологии разрабатываемых микросхем, верификация проектов на
разработанных тестах;
по 8 ОКР изготовлены и исследованы экспериментальные образцы
микросхем, в том числе:
- серия из 8 типов стабилизаторов напряжения положительной
полярности с температурным диапазоном -45... +125-C,
- 8-разрядный микроконтроллер с системой команд семейства MSC-
51 и встроенным драйвером ЖКИ,
- серия из 4 типов КМОП базовых матричных кристаллов с
количеством вентилей 10, 30, 60 и 100 тысяч,
- драйверы матричного ЖКИ типа SED1670 и SED1606,
- серия из 3 типов БИС: нерекурсивного цифрового фильтра,
приемопередатчика манчестерского кода, автокомпенсатора,
- серия из 40 типов быстродействующих КМОП логических ИС,
устойчивых к спецфакторам (аналог серии 54АСТ),
- микропроцессорный комплект из 2 типов микросхем - 16/32-
разрядного КМОП процессора (аналог 1801ВМ3) и 32/64-разрядного
КМОП сопроцессора обработки чисел с плавающей запятой (аналог
1801ВМ4), процессор корреляционной предобработки спутниковых
сигналов навигационной системы "ГЛОНАСС/НАВСТАР";
- БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М;
по 7 ОКР разработаны рабочая документация и проекты ТУ для
изготовления опытных партий;
по 3 ОКР изготовлены и испытаны опытные образцы;
2 ОКР сданы межведомственной комиссии в полном объеме и в
соответствии с ТЗ;
по комплексу работ технологической части Подпрограммы:
завершены этапы разработки ТЗ и плановой документации по 11
ОКР, этапы разработки технологических маршрутов - по 8 ОКР;
изготовлены образцы пластин с тестовыми кристаллами уровня 0,5
мкм;
разработана опытная технология глобальной планаризации
топологического рельефа при изготовлении СБИС с проектными нормами
0,5 мкм и менее на основе применения процесса химико-механической
полировки, проведены опытные партии;
завершена и сдана межведомственной комиссии в полном объеме и в
соответствии с ТЗ ОКР по разработке технологических процессов
нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности
пластин;
проведены технологические исследования, определена структура
технологических процессов и разработаны технологические маршруты
базовых технологий для выпуска:
- высоковольтных (до 40 В) ИС;
- структур типа кремний на изоляторе для расширенного класса
СБИС, включая быстродействующие и высоковольтные;
- универсальных КМОП микроконтроллеров с проектной нормой 0,8
мкм;
- библиотеки элементов микроконтроллеров с RISC архитектурой;
- расширенной номенклатуры БиКМОП СБИС;
- СБИС специального и двойного применения с проектными нормами
0,5 - 0,7 мкм;
проведены технологические исследования и определены основные
параметры и структура следующих технологических процессов:
- нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности
пластин для базовой субмикронной технологии;
- химико-механической полировки топологического рельефа
технологических структур СБИС для базового процесса уровня 0,5
мкм;
- формирования многослойной (3 - 4 слоя) металлизации с
использованием планаризации жидким стеклом.
Причинами к введению изменений в Подпрограмму и продлению срока
ее реализации на один год являются:
1. Изменение требований к номенклатуре и основным параметрам
СБИС, произошедшее за время с момента разработки Подпрограммы.
2. Появление с 2002 года дублирующих работ, связанных с началом
реализации в России Федеральной целевой программы "Национальная
технологическая база".
3. Появление с 2001 года дублирующих работ, выполняемых по
Государственному оборонному заказу России.
В целях учета этих изменений и координации с другими
программами, ведущимися в данном направлении, был разработан и
согласован с заказывающими подразделениями Министерства обороны
Российской Федерации уточненный "Перечень изделий для включения в
план работ совместной российско-белорусской Подпрограммы
"Разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых,
аналоговых интегральных микросхем для аппаратуры специального
назначения и двойного применения" (шифр "База")".
В нем учтены требования разработчиков аппаратурных комплексов и
систем, создаваемых по заказам Министерства обороны Российской
Федерации и других министерств и ведомств, изменившиеся с момента
разработки Подпрограммы.
4. Существенное изменение с момента разработки Подпрограмм цен
на материалы, комплектующие, энергоносители и затрат на заработную
плату в отрасли.
5. Расчет расходов на Подпрограмму исходно был произведен во II
квартале 1998 года (раздел 8 Подпрограммы). Поэтому, в связи с
высоким уровнем инфляции за прошедшие 4 года выполнение
Подпрограммы в полном объеме при запланированном ранее объеме
финансирования невозможно по причине его недостаточности.
С учетом сделанных уточнений выполнение всех заданий
Подпрограммы планируется на период с III кв. 2000 г. по IV кв.
2004 г. с объемом ее финансирования из бюджета Союзного
государства в 2003 году в размере 26984,0 тыс. руб. РФ, а в 2004
году - в размере 20016,0 тыс. руб. РФ, а также с привлечением
собственных средств предприятий в размере 62556,0 тыс. руб. в 2003
году, а в 2004 году - в размере 92277,0 тыс. руб.
Предлагаемое изменение позволит выполнить важнейшие задания
Подпрограммы с учетом исключения дублирования работ по ФЦП
"Национальная технологическая база", заказа Министерства обороны
России и оптимальным образом реализовать в виде законченных работ
затраченные в 2000 - 2003 гг. средства на выполнение Подпрограммы.
Задания Подпрограммы выполняются в виде комплекса опытно-
конструкторских работ (ОКР), результаты которых внедряются в
производство на предприятиях-исполнителях Подпрограммы.
5. Исполнители Подпрограммы
Основными исполнителями Подпрограммы являются:
от Российской Федерации:
- Научно-техническая ассоциация (НТА) "Субмикро" (г. Москва) -
Головной исполнитель - организационно-техническое обеспечение
проведения Подпрограммы, координация работ по Подпрограмме в целом
и контроль за ее исполнением;
- ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г. Москва);
от Республики Беларусь:
- НПО "Интеграл" (г. Минск).
К реализации основных заданий и этапов Подпрограммы планируется
привлечение более 20 отраслевых НИИ, КБ, заводов, академических
институтов и ВУЗов.
6. Состав разрабатываемых интегральных микросхем
и технологических процессов
Общая характеристика и перечень разрабатываемых интегральных
микросхем и технологических процессов представлены в разделе 9.
7. Ожидаемые результаты реализации Подпрограммы
В итоге реализации этапов и заданий Подпрограммы будут получены
следующие основные результаты:
1. На заводах электронной промышленности Республики Беларусь и
Российской Федерации будет организовано производство
конкурентоспособной элементной базы для удовлетворения потребности
народного хозяйства и обороны, наращивания экспортного потенциала,
решения проблемы импортозамещения.
2. Будут сохранены и созданы новые рабочие места в
радиоэлектронной, машиностроительной и других отраслях
промышленности.
3. Будут разработаны, созданы опытные образцы и освоены в
производстве свыше 80 современных интегральных схем специального
назначения и двойного применения, разработаны и внедрены в
производство новые технологические процессы, позволяющие
многократно повысить степень интеграции и эксплуатационные
характеристики интегральных схем.
4. Будет сохранен и получит дальнейшее развитие научно-
технический потенциал электронной промышленности двух государств
за счет объединения их усилий и финансовых средств.
5. Планируемый объем реализации разработанных изделий только за
два года (2004 - 2005 гг.) составит более 30 млн. дол. США.
Реализация Подпрограммы позволит Республике Беларусь и
Российской Федерации организовать производство ряда
конкурентоспособных отечественных изделий электронной техники и
обеспечить их поставки на внутренний и внешний рынки.
8. Структура расходов на Подпрограмму
Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет средств бюджета
Союза Беларуси и России и Союзного государства, а на 61,8% - за
счет внебюджетных средств. Средства бюджета Союзного государства
направляются на выполнение ОКР. Внебюджетные средства направляются
на обеспечивающие мероприятия по выполнению ОКР и на
финансирование подготовки производства на предприятиях-
исполнителях Подпрограммы.
Структура расходов на Подпрограмму в тыс. российских рублей
приведена в Табл. 1.
Таблица 1
------------------------------T------T-----T-----T-----T-----T------¬
¦ Объемы и распределение ¦Всего ¦2000 ¦2001 ¦2002 ¦2003 ¦ 2004 ¦
¦ расходов ¦ ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Всего, ¦345700¦19157¦71150¦53560¦89540¦112293¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦ - ¦22803¦20074¦39490¦ 59833¦
¦ Российская Федерация,¦203500¦19157¦48347¦33486¦50050¦ 52460¦
¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Средства бюджета Союзного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦государства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего, ¦132207¦19157¦45900¦20150¦26984¦ 20016¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦ - ¦15103¦ 8664¦ 8484¦ 7556¦
¦ Российская Федерация ¦ 92400¦19157¦30797¦11486¦18500¦ 12460¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Внебюджетные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего, ¦213493¦ - ¦25250¦33410¦62556¦ 92277¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦ - ¦ 7700¦11410¦31006¦ 52277¦
¦ Российская Федерация ¦111100¦ - ¦17550¦22000¦31550¦ 40000¦
L-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-------
Примечание. Расчет расходов на Подпрограмму произведен во II
квартале 2002 г.
9. Система программных мероприятий
и ресурсное обеспечение Подпрограммы
Таблица 2
-------------------T------------T--------T-----------------------------------------------------T------T--------------------------¬
¦Наименование ¦Организация-¦Сроки ¦Сметная стоимость работ по годам ¦Рас- ¦Основные полученные или ¦
¦работ Подпрограммы¦исполнитель ¦выполне-¦(до 2004 г. включительно), тыс. руб. ¦преде-¦ожидаемые результаты ¦
¦ ¦ ¦ния +-----------------------------------------------------+ление ¦за 2000 - 2002 гг. ¦
¦ ¦ ¦(год, ¦Всего ¦В том числе: ¦бюдже-¦Основные ожидаемые ¦
¦ ¦ ¦квартал)¦за +-----------------------------------T--------+тного ¦результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦2000 - ¦бюджет Союзного государства ¦Внебюд- ¦финан-¦на 2003 - 2004 гг. ¦
¦ ¦ ¦ ¦2004 +-----T-----T----T-----T-----T------+жетные ¦сиро- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦гг. ¦2000 ¦2002 ¦2003¦2003 ¦2004 ¦Всего ¦средства¦вания,¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦- ¦г. ¦г. ¦г. ¦г. ¦за ¦за ¦тыс. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦2001 ¦ ¦План¦Пред-¦Пред-¦2000 -¦2000 - ¦руб., ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦гг. ¦ ¦ ¦ложе-¦ложе-¦2004 ¦2004 ¦РФ/РБ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦Факт ¦ ¦ ¦ние ¦ние ¦гг. ¦гг. ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦ 1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ ¦
+------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
¦1.1. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 52998 ¦ 8800¦ 2370¦1800¦ 4068¦ 4731¦ 19969¦ 33029 ¦13146/¦Микросхема 16-разрядного ¦
¦серии 16-ти ¦"Интеграл", ¦III кв.;¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 6823 ¦микроконтроллера с ¦
¦разрядных ¦ОАО ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RISC-архитектурой. ¦
¦микроконтроллеров ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан эскизный ¦
¦для систем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Изготовлены ¦
¦цифровой обработки¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и исследованы ¦
¦сигналов и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦комплекта ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана рабочая ¦
¦программно - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД, ТД, проект ТУ. ¦
¦аппаратных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦средств, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦числе для системы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы ¦
¦"ГЛОНАСС", включая¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦приемопередатчика ¦
¦1806ВМ3 и 1806ВМ4.¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦манчестерского кода, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦автокомпенсатора, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦нерекурсивного цифрового ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фильтра. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Начата разработка рабочей ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы 6-канального ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифрового коррелятора ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радионавигационных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"ГЛОНАСС/НАВСТАР", ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КМОП 16-разрядного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессора обработки чисел¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с фиксированной запятой, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного сопроцессора¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки чисел с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Все разработанные изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будут поставлены на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 34277 ¦ 4990¦ 2800¦2827¦ 1960¦ 1570¦ 11320¦ 22957 ¦ 3245/¦Серия стандартных линейных¦
¦серии стандартных ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 8075 ¦интегральных микросхем ¦
¦линейных микросхем¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналоги LM117, LM158, ¦
¦(ан. LM117, LM158,¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦LM193, LM124, LM139, ¦
¦LM193 и др.). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MC78XX, MC79XX). ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделия будут поставлены ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 23991 ¦ 4509¦ 950¦ -¦ 911¦ 1870¦ 8240¦ 15751 ¦ 1773/¦Микросхема 8-разрядного ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 6467 ¦микроконтроллера ¦
¦для устройств ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с системой команд ¦
¦отображения ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦семейства MSC-51 и ¦
¦информации средней¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦встроенным драйвером ЖКИ. ¦
¦и большой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦информативности. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы драйверов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегментных ЖКИ с I C ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейсом (аналоги ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦PCF8576, PCF8577). ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны рабочая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Все разработанные изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будут поставлены на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.4. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 14123 ¦ 2520¦ 3200¦ -¦ -¦ -¦ 5720¦ 8403 ¦ 5720/¦Контроллеры ЖКИ для ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦устройств отображения ¦
¦для устройств ¦ ¦2002 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦информации с техническими ¦
¦отображения ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками, ¦
¦информации с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующими аналогам ¦
¦техническими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦SED1670, 1606. ¦
¦характеристиками, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны и исследованы ¦
¦соответствующими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦аналогам SED1670, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦1606. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены опытные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы. Изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦поставлены на серийное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.5. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 15664 ¦ 2860¦ 520¦ -¦ 2964¦ -¦ 6344¦ 9320 ¦ 6344/¦Серия микросхем КМОП БМК ¦
¦серии микросхем ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦с количеством вентилей 10,¦
¦КМОП БМК с ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦30, 60 и 100 тысяч. ¦
¦количеством ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны и исследованы ¦
¦вентилей 10, 30, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦60 и 100 тысяч. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.6. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 18328 ¦ 1115¦ -¦ -¦ 1800¦ 4508¦ 7423¦ 10905 ¦ 7423/¦Микросхемы аналого - ¦
¦микросхем ¦"Ангстрем" ¦I кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦цифровых БиКМОП БМК. ¦
¦аналого-цифровых ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Начата разработка ¦
¦БиКМОП БМК. ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технического проекта. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы. Будут разработаны¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, проект ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТУ. Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.7. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 11983 ¦ 2570¦ 976¦ -¦ 500¦ 807¦ 4853¦ 7130 ¦ 4853/¦БИС СОЗУ емкостью 1М ¦
¦КМОП статических ¦"Ангстрем", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦(128Кх8). ¦
¦ОЗУ емкостью ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦1Мбит. ¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.8. Разработка ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦серии стандартных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦аналоговых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦микросхем, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.8.1. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 3901 ¦ 1580¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1580¦ 2321 ¦ 1580/¦Разработана архитектура ¦
¦КМОП АЦП и ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦КМОП АЦП и ¦
¦быстродействующих ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующих 10 и ¦
¦10 и 12-разрядных ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦12-разрядных АЦП ¦
¦АЦП конвейерного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦конвейерного типа. ¦
¦типа. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Работы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прекращены по причине ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦дублирования с ОКР, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполняемыми в рамках ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦государственного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦оборонного заказа. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполнении ОКР "Ириска" ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и др. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.8.2. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 815 ¦ 330¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 330¦ 485 ¦ 330/¦Разработаны архитектура и ¦
¦ряда КМОП ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦эскизные электрические ¦
¦малошумящих ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦схемы КМОП малошумящих ¦
¦быстродействующих ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующих ¦
¦операционных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционных усилителей, ¦
¦усилителей. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведено предварительное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦моделирование. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Работа ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прекращена по причине ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦недостаточности ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦финансирования и будет ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продолжена с 2004 года ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в рамках новой программы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Союзного государства ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"База-2". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦ 2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ¦
+------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
¦2.1. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦комплекта ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦32-разрядных ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦процессоров и ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦периферийных схем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦с RISC - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦архитектурой с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦характеристиками, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦соответствующими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦аналогам R3000 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(R3010) ф. IDT и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦80860 ф. INTEL. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.2. Разработка и ¦НПО ¦2000 г. ¦ 15952 ¦ 4380¦ 1000¦1920¦ 1920¦- ¦ 7300¦ 8652 ¦ 2808/¦Быстродействующие КМОП ¦
¦освоение ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 4492 ¦логические ИС, устойчивые ¦
¦быстродействующих ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦к спецфакторам (аналоги ¦
¦КМОП логических ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серии 54АСТ, 40 типов). ¦
¦ИС, устойчивых к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и испытаны ¦
¦54АСТ, 40 типов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет проведена ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦корректировка КД, ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проекта ТУ. Изделие будет ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦поставлено на серийное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦низковольтных КМОП¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦логических ИС, ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦устойчивых к ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦54/LVXXX). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.4. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦КМОП логических ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦ИС, устойчивых к ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦спецфакторам ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦54HCXXX). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.5. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦элементной базы ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦КМОП логических ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦ИС, устойчивых к ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦4000В). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.6. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 17789 ¦ 950¦ 630¦ -¦ 3156¦ 2469¦ 7205¦ 10584 ¦ 7205/¦БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М. ¦
¦БИС КМОП ПЗУ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦Разработан технический ¦
¦емкостью 2М. ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны ¦
¦ ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.7. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 10336,4¦ 1260¦ 900¦ -¦ 967¦ 900¦ 4027¦ 6309,4¦ 995/¦КМОП СБИС постоянного ¦
¦КМОП СБИС ¦"Интеграл" ¦I кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3032 ¦масочного запоминающего ¦
¦постоянного ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устройства емкостью 1М, ¦
¦масочного ¦ ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к ¦
¦запоминающего ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦спецфакторам. ¦
¦устройства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦емкостью 1М, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны ¦
¦устойчивого к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, ¦
¦спецфакторам. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.8. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 2840 ¦ 1150¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1150¦ 1690 ¦ 550/¦Разработан функциональный ¦
¦библиотеки ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 600 ¦состав и схемы ¦
¦элементов ¦ОАО "НИИМЭ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦электрические библиотечных¦
¦специализированных¦и Микрон" ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов. ¦
¦заказных БИС. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлениям 16, 42 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦раздела II российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведении этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по белорусской ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦национальной программе ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Белэлектроника". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦ 3. ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ¦
+------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
¦3.1. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 17271 ¦ 290¦ 950¦ -¦ 820¦ 2000¦ 4060¦ 13211 ¦ 522/¦Разработан технологический¦
¦технологии и ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3538 ¦маршрут. Проведены ¦
¦конструкции ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологические ¦
¦элементной базы ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследования и определена ¦
¦для изготовления ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура технологических ¦
¦КМОП универсальных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессов. ¦
¦микроконтроллеров ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана опытная ¦
¦с 0,8 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология. Будут ¦
¦проектной нормой. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведены опытные партии. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 13975 ¦ 3450¦ 964¦1246¦ 1246¦ -¦ 5660¦ 8315 ¦ 2033/¦Проведены технологические ¦
¦технологии и ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3627 ¦исследования и определена ¦
¦библиотеки ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура технологических ¦
¦проектирования ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессов. ¦
¦микроконтроллеров ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработана опытная ¦
¦с RISC - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология. ¦
¦архитектурой с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут проведены опытные ¦
¦0,8 мкм проектными¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦партии. ¦
¦нормами. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 2765 ¦ 1120¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1120¦ 1645 ¦ 170/¦Разработан технологический¦
¦конструкции и ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 950 ¦маршрут изготовления ¦
¦технологии ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тестового кристалла. ¦
¦изготовления ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны типовая ¦
¦элементной базы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура и правила ¦
¦БиКМОП СБИС с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирования тестового ¦
¦0,8 - 1,0 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦БиКМОП кристалла. ¦
¦проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦нормами. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлению 15 раздела II ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведении этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по белорусской ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦национальной программе ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Белэлектроника". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.4. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 25242 ¦10223¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 10223¦ 15019 ¦ 9920/¦Разработан проект базового¦
¦технологии ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 303 ¦технологического маршрута ¦
¦структур СБИС с ¦ОАО ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовления тестового ¦
¦топологическими ¦"Ангстрем", ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла уровня 0,5 мкм, ¦
¦нормами до ¦ОАО ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦осуществлено ¦
¦0,5 мкм. ¦"НИИМЭ и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирование тестового ¦
¦ ¦Микрон" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла, изготовлены ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы пластин с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тестовыми кристаллами ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦уровня 0,5 мкм. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом аналогичных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦работ по направлению 15 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦раздела II российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведении этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по белорусской ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦национальной программе ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Белэлектроника". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.5. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 35347 ¦ 7760¦ -¦ -¦ 5378¦ 1161¦ 14299¦ 21048 ¦12399/¦Разработан технологический¦
¦конструкции и ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1900 ¦маршрут, разработаны ¦
¦технологии ¦ОАО ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦типовая структура ¦
¦элементной базы ¦"НИИМЭ и ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦биполярной высоковольтной ¦
¦аналоговых ¦Микрон" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(до 40В) ИС и правила ¦
¦высоковольтных ИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирования тестового ¦
¦и технологии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла. Разработаны ¦
¦формирования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦состав тестовой матрицы, ¦
¦структур типа ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦топология тестовой ¦
¦кремний на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦матрицы, ЭКД и ЭТД. ¦
¦изоляторе для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлен комплект ¦
¦расширенного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фотошаблонов, изготовлены ¦
¦класса СБИС, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальные структуры. ¦
¦включая ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технологический¦
¦высоковольтные. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦маршрут формирования ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структур типа кремний на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изоляторе для расширенного¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦класса СБИС, включая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦высоковольтные. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана опытная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология формирования ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структур типа кремний на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изоляторе для расширенного¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦класса СБИС, включая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦высоковольтные. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.6. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 14787 ¦ 2870¦ 3120¦ -¦ -¦ -¦ 5990¦ 8797 ¦ 5990/¦Разработаны ¦
¦технологических ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦технологические процессы ¦
¦процессов ¦ ¦2002 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦нанесения диэлектрических ¦
¦нанесения ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦покрытий и планаризации ¦
¦диэлектрических ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦поверхности пластин в ¦
¦покрытий и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение разработки ¦
¦планаризации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производства СБИС с ¦
¦поверхности ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦субмикронными проектными ¦
¦пластин в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦нормами. ¦
¦обеспечение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦разработки и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦производства СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦с субмикронными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦нормами. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.7. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 12723 ¦ 2090¦ 1770¦ -¦ 1294¦ -¦ 5154¦ 7569 ¦ 5154/¦Разработан ¦
¦технологии ¦"НИИМЭ и ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦технологический маршрут. ¦
¦глобальной ¦Микрон" ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Проведены технологические ¦
¦планаризации ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследования. Проведены ¦
¦топологического ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные партии, ¦
¦рельефа при ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовлены и исследованы ¦
¦изготовлении СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные образцы структур с¦
¦с проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦глобально планаризованными¦
¦нормами 0,5 мкм и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦слоями диэлектриков. ¦
¦менее на основе ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана ¦
¦применения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦техническая документация. ¦
¦процесса ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет проведена аттестация¦
¦химико - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологических процессов.¦
¦механической ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦полировки. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.8. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 593 ¦ 240¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 240¦ 353 ¦ 240/¦Исследованы процессы ¦
¦технологического ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦планаризации рельефа при ¦
¦процесса создания ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦формировании многослойной ¦
¦блока многослойной¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦металлизации ИС на основе ¦
¦(3 - 4 слоя) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦жидких стекол, наносимых ¦
¦металлизированной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦методом центрифугирования.¦
¦разводки с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технологический¦
¦использованием ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦маршрут и проведена ¦
¦технологии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦подготовка к изготовлению ¦
¦планаризации с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытных образцов. ¦
¦жидкими стеклами. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлению 15 раздела II ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведении этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по белорусской ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦национальной программе ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Белэлектроника". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦Всего, в т.ч.: ¦ ¦ ¦345700 ¦65057¦20150¦7793¦26984¦20016¦132207¦213493 ¦ ¦ ¦
¦РФ ¦ ¦ ¦203500 ¦49954¦11486¦ -¦18500¦12460¦ 92400¦111100 ¦ ¦ ¦
¦РБ ¦ ¦ ¦142200 ¦15103¦ 8664¦7793¦ 8484¦ 7556¦ 39807¦102393 ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦Требуется ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦дополнительно на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦2003 - 2004 гг.: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 38516 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦РФ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 30960 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦РБ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 7556 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
L------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----------------+------+--------+------+---------------------------
Примечание. 1. Корректировка Подпрограммы осуществляется в
обоснованных случаях в установленном порядке.
Использование научно-технической продукции, полученной при
реализации мероприятий данной Подпрограммы, осуществляется в
порядке, устанавливаемом нормативными правовыми актами Союзного
государства по урегулированию вопросов, касающихся права
собственности на результаты научно-технической деятельности,
полученные в ходе выполнения совместных ОКР.
До принятия нормативных правовых актов Союзного государства в
области охраны интеллектуальной собственности патентование
совместно созданных результатов новых научных разработок будет
производиться исходя из доли вклада российских и белорусских
специалистов в их достижение и с учетом законодательства стран-
участников, регулирующего права собственности на результаты научно-
технической деятельности.
До принятия нормативных правовых актов по управлению и
распоряжению имуществом Союзного государства порядок использования
опытных и экспериментальных образцов оборудования, созданных при
выполнении Подпрограммы, будет определяться исходя из доли
отчислений Российской и Белорусской Сторон на финансирование
Подпрограммы из бюджета Союзного государства.
10. Паспорт Подпрограммы Союзного государства
"Разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых,
аналоговых интегральных микросхем для аппаратуры
специального назначении и двойного применения"
(уточненная редакция)
Наименование "Создание и серийное производство
основной автоматизированных систем управления, бортовой
Программы радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой
радио- и электротехники".
Уровень, дата и
номер решений:
о разработке Перечень межгосударственных совместных
основной программ, одобренный Решением Исполкома
Программы; Сообщества Беларуси и России от 4 сентября
1996 г. (приложение N 1 к Протоколу N 4,
раздел III, п. 18).
об утверждении
основной Программы.
Наименование "Разработка и освоение серий цифровых,
Подпрограммы цифро-аналоговых, аналоговых интегральных
микросхем для аппаратуры специального
назначения и двойного применения".
Уровень, дата и
номер решений:
о разработке Протокол совместного совещания представителей
Подпрограммы; Минпрома Беларуси, Миноборонпрома России и
Исполнительного Комитета Сообщества Беларуси и
России от 24.01.1997 г.
об утверждении Постановление Исполкома Союза Беларуси и
Подпрограммы; России от 12 февраля 1999 г. N 2.
об утверждении Постановление Совета Министров Союзного
предложения по государства от "__" __________ 2003 г. N ___.
продлению на
один год срока
реализации
Подпрограммы и
по ее изменению
Государственный Министерство промышленности, науки и
заказчик - технологий Российской Федерации.
координатор
Государственный Министерство промышленности Республики
заказчик Беларусь.
Основные Головной исполнитель - научно-техническая
разработчики ассоциация "Субмикро",
и исполнители генеральный директор Петухов Анатолий Евсеевич
Подпрограммы - руководитель Подпрограммы;
124482, Москва, Зеленоград, корп. 313А,
тел. (095) 536-5011, факс (095) 536-6934.
Исполнители:
от Республики Беларусь: УП "Белмикросистемы"
НПО "Интеграл" (г. Минск);
от Российской Федерации: ОАО "Ангстрем", ОАО
"НИИМЭ и Микрон" (г. Москва).
Цели и задачи Разработка и освоение серий цифровых,
Подпрограммы, цифро-аналоговых, аналоговых микросхем для
важнейшие целевые приоритетных отраслей промышленности, бытовой
показатели техники и аппаратуры специального и двойного
назначения.
Разработка микросхем для изделий спецтехники,
включая интегральные схемы повышенной
устойчивости к специальным факторам,
повышенной помехозащищенности и надежности, в
соответствии с реализуемыми и перспективными
программами создания систем вооружений и
военной техники (включая автоматизированные
системы управления и специальную бортовую
аппаратуру).
Разработка ряда новых технологий для создания
электронной элементной базы.
Сроки и этапы Выполнение всех заданий Подпрограммы
реализации планируется на период со II кв. 2000 г.
Подпрограммы по IV кв. 2004 г.
На первом этапе разрабатываются комплекты
эскизной конструкторской и технологической
документации (ЭКД, ЭТД), изготавливаются
экспериментальные образцы.
На втором этапе планируется изготовление
опытных образцов, комплектов КД и ТД.
На третьем этапе планируется серийное освоение
разработанных изделий и технологических
процессов.
Перечень Раздел 1 "Разработка и освоение серий
составных частей цифровых, аналоговых и цифро-аналоговых
Подпрограммы интегральных микросхем двойного применения",
и основных в том числе 16- и 32-разрядных процессоров и
мероприятий, микроконтроллеров, специализированных БИС ЦОС,
их исполнители, контроллеров ЖКИ, стандартных линейных
сроки реализации микросхем, БМК от 10 до 100К вентилей,
аналого-цифровых матриц на основе КМОП
технологий, операционных усилителей.
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл",
ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000 - 2004 гг.
Раздел 2 "Разработка и освоение серий
цифровых, аналоговых и цифро-аналоговых
интегральных микросхем специального
назначения", в том числе серий стандартных
цифровых логических интегральных схем, 1М и 2М
КМОП СБИС ПЗУ, устойчивых к специальным
факторам.
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
"Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000 - 2004 гг.
Раздел 3: "Разработка технологии создания
электронной элементной базы".
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
"Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000 - 2004 гг.
Объемы и основные Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет
источники средств бюджета Союза Беларуси и России и
финансирования, Союзного государства, а на 61,8% - за счет
направления внебюджетных средств.
расходования Средства бюджета Союза Беларуси и России и
финансовых Союзного государства направляются на
средств. выполнение ОКР.
Всего, в т.ч. Внебюджетные средства направляются на
по годам обеспечение выполнения ОКР и на внедрение их
результатов в производство на предприятиях -
исполнителях Подпрограммы.
тыс. российских рублей
------------------------------T------T-----T-----T-----T-----T------¬
¦ Объемы и распределение ¦Всего ¦2000 ¦2001 ¦2002 ¦2003 ¦ 2004 ¦
¦ расходов ¦ ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Всего, ¦345700¦19157¦71150¦53560¦89540¦112293¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦ -¦22803¦20074¦39490¦ 59833¦
¦ Российская Федерация,¦203500¦19157¦48347¦33486¦50050¦ 52460¦
¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Средства бюджета Союзного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦государства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего, ¦132207¦49157¦45900¦20150¦26984¦ 20016¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦ -¦15103¦ 8664¦ 8484¦ 7556¦
¦ Российская Федерация ¦ 92400¦19157¦30797¦11486¦18500¦ 12460¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Внебюджетные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего, ¦213493¦ -¦25250¦33410¦62556¦ 92277¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦ -¦ 7700¦11410¦31006¦ 52277¦
¦ Российская Федерация ¦111100¦ -¦17550¦22000¦31550¦ 40000¦
L-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-------
Конечные Разработка, организация производства и
результаты поставки серий новых микросхем для систем
реализации вооружений и военной техники, приоритетных
Подпрограммы, отраслей промышленности (машиностроения,
сроки возвратности средств связи и телекоммуникаций, бытовой
средств техники и др.). Сроки окупаемости в
зависимости от типа изделия составят от 2 до 4
лет.
Система Работы головного исполнителя и исполнителей
организации и Подпрограммы организуют и контролируют
контроля за Государственный заказчик-координатор и
исполнением Государственный заказчик. Общий контроль
Подпрограммы осуществляет Постоянный Комитет Союзного
государства.
|
